Exagan, spécialiste du GaN, ouvre un centre de solutions d’alimentation en Europe

Grenoble, France – 7 mai 2019 – Poursuivant ses progrès dans l’accélération de l’adoption des semi-conducteurs au nitrure de gallium (GaN) sur silicium sur les marchés de l’énergie, Exagan, un innovateur majeur du GaN, a ouvert un nouveau centre Power Solutions à Toulouse, France, pour étendre son soutien aux applications et sa portée commerciale dans une large gamme de produits finis spécifiques aux clients. L’ouverture de cette installation de pointe, qui fonctionne en étroite collaboration avec le partenaire technologique CEA Tech, fait suite au lancement du premier centre d’applications GaN d’Exagan à Taïwan en octobre dernier.

L’usine de Toulouse offre à ses clients de nouvelles capacités de développement d’applications et de validation de produits à l’aide d’équipements électroniques hautement spécialisés. Il permet également à Exagan de maîtriser de nouvelles architectures pour les solutions GaN tout en augmentant l’efficacité de la conversion de puissance dans les topologies actuelles.

Exagan exposera sa gamme de produits polyvalents à base de GaN à la conférence PCIM Europe de cette semaine en Allemagne. La société présente les performances de ses transistors de puissance G-FET™ dans des applications telles que les chargeurs de puissance USB PD 3.0 de 65 watts et la correction du facteur de puissance (PFC) allant de 300 watts à 1,5 kilowatt pour les centres de données nouvelle génération.

La technologie et les produits d’Exagan sont conçus pour offrir aux clients le meilleur rapport qualité-prix en termes de performances, de robustesse et de facilité d’intégration aux plates-formes existantes. Les transistors de puissance G-FET peuvent être fabriqués dans des fabs de wafers CMOS de 200 mm existants, ce qui permet une alimentation multi-sources, une extensibilité facile et un rapport coût/performance optimal.

Avec son business model fab-lite, Exagan offre un contrôle complet de l’intégration de la technologie GaN depuis les matières premières jusqu’à l’implémentation complète dans les produits finis, permettant l’optimisation des produits et la fabrication en volume. Le portefeuille de produits de la société couvre une large gamme de niveaux de puissance et d’applications, allant des petits systèmes de charge rapide, des centres de données et des chargeurs embarqués pour automobiles jusqu’aux stations de charge rapide pour véhicules électriques.

« S’appuyant sur une technologie et un portefeuille de produits robustes en GaN, Exagan déploie actuellement des centres de solutions d’alimentation en GaN en Europe et en Asie pour travailler en étroite collaboration avec ses clients. Notre objectif est d’offrir la meilleure fonctionnalité et la meilleure valeur en optimisant l’équilibre entre la densité de puissance, l’efficacité énergétique, la fiabilité et les coûts du système, qui est à la pointe de l’industrie des dispositifs GaN « , a déclaré Frédéric Dupont, président et chef de la direction d’Exagan.

Le marché du GaN dans l’électronique de puissance devrait croître à un taux de croissance annuel composé (TCAC) de 93 % d’ici 2023, selon Yole Développement.

Visitez l’exposition d’Exagan au PCIM Europe au stand n° 637, Hall 9 pour voir les transistors de puissance G-FET de la société, les solutions G-DRIVE™ système intelligent en boîtier (SiP) et modules d’évaluation.