Le spécialiste des semi-conducteurs GaN, Exagan, forme une filiale à Taiwan et ouvre un centre de vente et d’applications à Taipei afin d’accélérer l’utilisation du GaN sur les marchés des chargeurs et des serveurs

Grenoble, France – 18 octobre 2018 – Exagan , l’un des principaux innovateurs de la technologie des semi-conducteurs au nitrure de gallium (GaN) permettant des convertisseurs électriques plus petits et plus efficaces, a créé Exagan Taiwan Ltd. avec un nouveau centre de vente et d’applications à Taiwan – la première étape de la société dans son déploiement sur le marché mondial – pour accélérer le développement et l’utilisation de solutions d’alimentation rapides et intelligentes au GaN dans la région.

L’installation du parc logiciel Nankang à Taipei a officiellement ouvert aujourd’hui au cours de cérémonies auxquelles assistent le président et chef de la direction d’Exagan, Frédéric Dupont, le directeur des opérations, Fabrice Letertre et le directeur des ventes pour l’Asie, Ralf Kilguss. Kilguss dirige les ventes régionales en Asie, tirant parti de ses 20 années d’expérience sur les marchés des semi-conducteurs et de l’électronique de puissance.

«Grâce à ce nouveau centre d’application, les experts de notre société pourront travailler en étroite collaboration avec les clients locaux sur l’évaluation et la conception de solutions basées sur le GaN, tout en accélérant l’adoption de la technologie dans les secteurs en croissance rapide des chargeurs et des serveurs, entraînés par un marché asiatique très dynamique. marché », a déclaré Dupont.

Depuis sa création en 2014, Exagan a développé de nombreux partenariats en Asie pour soutenir la conception, le développement et la fabrication de ses produits, établissant ainsi une chaîne d’approvisionnement robuste avec des solutions éprouvées pour les marchés cibles.

Plus tôt cette année, Exagan a lancé ses transistors de puissance G-FET ™ , sûrs et puissants, ainsi que sa solution intelligente et à commutation rapide G-DRIVE ™, comprenant un circuit intégré à transistor et un transistor. Ceux-ci sont conçus pour une implémentation facile du système dans des applications telles que les serveurs et les chargeurs USB.

Le nombre de périphériques dotés d’au moins un port USB de type C pour le transfert simultané d’énergie électrique, de données et de vidéos devrait atteindre près de cinq milliards d’unités d’ici 2021, selon le cabinet d’études de marché IHS Markit, tandis que les livraisonstotales de serveurs devraient augmenter à un taux de croissance annuel composé de 14% entre 2018 et 2023, comme prévu par Digitimes Research.

A propos d’Exagan

Fondée en 2014 avec le soutien du CEA-Leti et de Soitec, Exagan se consacre à accélérer la transition du secteur de l’électronique de puissance de la technologie à base de silicium à la technologie au GaN sur silicium, permettant des convertisseurs électriques plus petits et plus efficaces. Ses commutateurs d’alimentation GaN sont conçus pour être fabriqués dans des usines de fabrication de plaquettes standard de 200 mm afin de fournir des produits à haute performance et haute fiabilité via une chaîne d’approvisionnement robuste. Les produits G-FET et G-DRIVE de la société offrent des performances de commutation de puissance très élevées avec des pertes de conduction extrêmement faibles, permettant une intégration de puissance et des niveaux d’efficacité sans précédent dans les convertisseurs électriques pour des applications comprenant l’électronique solaire, industrielle, automobile et informatique.

Les partenaires stratégiques comprennent les fonderies de silicium X-FAB et l’institut de recherche international CEA-Leti pour la technologie et la fabrication de GaN 200 mm et le groupe TÜV NORD GROUP pour la qualité, les tests et la fiabilité des produits. Exagan est basé à Grenoble et à Toulouse, en France. Pour plus d’informations, visitez www.exagan.com .

Contact médias

Frédéric Dupont 
Président & CEO
+ 33-4-57-13-82-14 
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