Exagan, spécialiste des semi-conducteurs GaN, présente de nouvelles solutions de conversion haute puissance pour les serveurs et les applications automobiles au salon Electronica

12 novembre 2018

Exagan élargit la gamme de ses produits polyvalents  G-FET™ et G-DRIVE™ pour les applications multi-kilowatts du marché de la haute puissance.

 

Grenoble, France – 12 novembre 2018 – Exagan, l’un des principaux innovateurs de la technologie des semi-conducteurs en nitrure de gallium (GaN), qui permet de fabriquer des convertisseurs électriques plus petits et plus efficaces, étend son marché en lançant de nouveaux transistors de puissance G-FET™ et des dispositifs intelligents à commutation rapide G-DRIVE™ aux capacités accrues pour les applications automobiles et serveurs. Avec des capacités de drain-source sur résistance (RDSon) allant de 30 à 65 milliohms, ces nouvelles versions offrent des performances et un rendement énergétique améliorés pour diverses applications, y compris les véhicules électriques (VE), les équipements industriels et les serveurs de données.

Lors du salon Electronica de cette semaine à Munich, Exagan présente la mise en œuvre de ses produits pour des applications de l’ordre du kilowatt utilisant des topologies telles que le PFC totem-pole pour atteindre un rendement de conversion élevé ainsi qu’une densité de puissance améliorée.

Les alimentations pour le marché en forte croissance des serveurs sont l’une des premières applications d’alimentation à bénéficier des solutions GaN d’Exagan. Les livraisons mondiales de serveurs ont augmenté de 20,7 % d’une année sur l’autre pour atteindre 2,7 millions d’unités au premier trimestre de 2018, selon la société de recherche International Data Corporation.

Un autre secteur qui bénéficie de ces produits améliorés est celui de l’électronique de puissance automobile, où les solutions d’Exagan offrent des performances robustes et simplifient la conception au niveau du système. Lors de la Conférence automobile chez Electronica, le président et chef de la direction d’Exagan, Frédéric Dupont, fera une présentation intitulée  » De l’évolution à la révolution  » : Disrupting Automotive Power Conversion with GaN » qui explique comment des solutions d’alimentation de petite taille, légères et très économiques, fabriquées avec du GaN peuvent être appliquées aux VE.

« Nos gammes de produits G-FET et G-DRIVE offrent le portefeuille le plus complet de solutions GaN facilement intégrables pour une large gamme d’applications couvrant les marchés grand public, des serveurs et de l’automobile « , a déclaré Dupont, PDG d’Exagan. « Pour travailler en étroite collaboration avec nos clients, nous avons récemment ouvert des centres d’application en France et à Taïwan, dont l’objectif principal est de fournir les solutions les plus compétitives basées sur le GaN pour les besoins actuels et émergents de conversion d’énergie ».

Les nouvelles solutions de produits GaN annoncées aujourd’hui prouvent la capacité d’Exagan à fournir plusieurs produits en utilisant un processus de fabrication CMOS de 200 mm tout en conservant le contrôle total de la technologie GaN exclusive d’Exagan. Des échantillons d’ingénierie des plus récentes solutions GaN d’Exagan et des cartes d’évaluation associées sont disponibles.

À propos d’Exagan

Exagan, spécialiste des semi-conducteurs en GaN, est une spin off du CEA-Leti et de Soitec fondée en 2014 pour accélérer la transition de l’industrie de l’électronique de puissance de la technologie silicium vers la technologie GaN-sur-silicium, permettant la mise au point de convertisseurs électriques plus petits et efficaces. Ses commutateurs de puissance en GaN sont conçus pour être fabriqués dans des fabs de wafers standard de 200 mm afin de fournir des produits de haute performance et de haute fiabilité à travers une chaîne d’approvisionnement robuste. Les produits G-FET et G-DRIVE de la société offrent des performances de commutation de puissance très élevées avec des pertes par conduction extrêmement faibles, permettant une intégration de puissance et des niveaux d’efficacité sans précédent dans les convertisseurs électriques pour des applications telles que les appareils mobiles, les maisons intelligentes, les centres de données, les applications industrielles et automobiles. Parmi les partenaires stratégiques figurent X-FAB Silicon Foundries et CEA-Leti pour la technologie et la fabrication du GaN 200 mm et TÜV NORD GROUP pour la qualité, les essais et la fiabilité des produits.
Exagan a son siège social à Grenoble, France, et possède des bureaux à Toulouse, France, et à Taipei, Taiwan. Pour plus d’informations, visitez : www.exagan.com

Contact média
Frédéric Dupont
Président et chef de la direction
+33-4-57-13-82-14
contact@exagan.com

 

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